科学技術庁（A*STAR）傘下のマイクロエレクトロニクス研究所（IME）は、半導体の3次元（3D）実装パッケージに利用されるシリコン貫通電極（TSV）の研究開発を行うコンソーシアムに日系企業を含む14社が参加することを発表しました。

参加企業は互いの専門技術をいかし、TSVプロセス、薄膜ウエハーの設計や実装プロセスに必要な材料を共同で開発し、開発サイクル時間の短縮、半導体業界で適用が可能な3次元のTSV実装プロセス、設計ガイドラインの策定を目指します。

EDBのダミアン・チャン局長（エレクトロニクス担当）は、3次元TSVはスマートフォンなどの電子機器の小型化や、高性能化を可能にし、電力消費も抑えることができる点を指摘し、「世界全体の半導体生産高に占めるシンガポールの割合は2001年の6%から2008年には11%へとほぼ倍増している。大手材料メーカーが参加することで、3次元TSVコンソーシアムの重要性が高まり、シンガポールの半導体業界をいっそう強化することとなる」と述べています。

「3次元TSVコンソーシアム」は、300ミリTSVウエハーの製造を目的として、IMEとEDB主導の下2009年9月に立ち上げられました。日本からは、旭硝子、日立化成デュポンマイクロシステムズ、日立化成工業、長瀬産業、日東電工、積水化学、住友ベークライト、ナミックスが参加します。