また、シンガポール経済開発庁(EDB)との合意の一環として、シンガポールにおける同社研究開発能力も拡大させる予定です。
シンガポール貿易産業省のS・イスワラン(S. Iswaran)大臣は起工式に出席し「1998年以来、同社はエレクトロニクス産業のキープレーヤーです。さらにこのたびのシンガポールでの活動を拡大・定着させるという新しい一歩を歓迎します」と語りました。
同社社長兼最高経営責任者(CEO)サンジャイ・メフロトラ(Sanjay Mehrotra)氏は「過去20年間でシンガポールに150億USD(1,650億円)以上投資してきました。ここで製造する3D NANDフラッシュは、業界最先端のもので、非常に複雑な製造工程を要します。メモリセルの積層数が64層で、多数の微細加工を伴います。本日起工したクリーンルームにより、さらに複雑な設計が可能となるような技術の進歩が期待できます」と述べています。